分类:
MOS管(39)
封装:
MLP-6(1)
SOIC-8(3)
SO-8(1)
SC-89-6(1)
TO-263(1)
TSSOP-8(1)
TO-252-3(7)
WDFN-12(1)
Power-33-8(1)
Power-56-8(4)
TO-262-3(1)
TO-261-4(2)
SOT-23-3(3)
SSOT-8(1)
SSOT-6(1)
Power-56(1)
TO-252(1)
WLCSP-4(1)
PowerTDFN-8(1)
TO-263-3(2)
TSOT-23-6(2)
MicroFET-6(1)
SOIC(1)
多选
型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
  • 品类: MOS管
    描述:
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD4141 晶体管, P沟道
    6431
    10-99
    8.7120
    100-499
    8.2764
    500-999
    7.9860
    1000-1999
    7.9715
    2000-4999
    7.9134
    5000-7499
    7.8408
    7500-9999
    7.7827
    ≥10000
    7.7537
  • 品类: MOS管
    描述:
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB19N20LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 200 V, 0.11 ohm, 10 V, 2 V
    9839
    5-24
    6.6960
    25-49
    6.2000
    50-99
    5.8528
    100-499
    5.7040
    500-2499
    5.6048
    2500-4999
    5.4808
    5000-9999
    5.4312
    ≥10000
    5.3568
  • 品类: MOS管
    描述:
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF170 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V
    1890
    10-99
    8.7120
    100-499
    8.2764
    500-999
    7.9860
    1000-1999
    7.9715
    2000-4999
    7.9134
    5000-7499
    7.8408
    7500-9999
    7.7827
    ≥10000
    7.7537
  • 品类: MOS管
    描述:
    30V N通道PowerTrench SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
    8381
    20-49
    0.0000
    50-99
    0.0000
    100-299
    0.0000
    300-499
    0.0000
    500-999
    0.0000
    1000-4999
    0.0000
    5000-9999
    0.0000
    ≥10000
    0.0000
  • 品类: MOS管
    描述:
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA1032CZ 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.7 A, 20 V, 0.037 ohm, 4.5 V, 1 V
    2478
    5-24
    2.3355
    25-49
    2.1625
    50-99
    2.0414
    100-499
    1.9895
    500-2499
    1.9549
    2500-4999
    1.9117
    5000-9999
    1.8944
    ≥10000
    1.8684
  • 品类: MOS管
    描述:
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6420C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mV
    5581
    5-24
    2.7270
    25-49
    2.5250
    50-99
    2.3836
    100-499
    2.3230
    500-2499
    2.2826
    2500-4999
    2.2321
    5000-9999
    2.2119
    ≥10000
    2.1816
  • 品类: MOS管
    描述:
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC658AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 4 A, -30 V, 0.044 ohm, -10 V, -1.8 V
    9945
    10-99
    8.6880
    100-499
    8.2536
    500-999
    7.9640
    1000-1999
    7.9495
    2000-4999
    7.8916
    5000-7499
    7.8192
    7500-9999
    7.7613
    ≥10000
    7.7323
  • 品类: MOS管
    描述:
    PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
    4075
    10-99
    6.5160
    100-499
    6.1902
    500-999
    5.9730
    1000-1999
    5.9621
    2000-4999
    5.9187
    5000-7499
    5.8644
    7500-9999
    5.8210
    ≥10000
    5.7992
  • 品类: MOS管
    描述:
    Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8Pin Power 56 EP T/R
    3119
    5-24
    6.3720
    25-49
    5.9000
    50-99
    5.5696
    100-499
    5.4280
    500-2499
    5.3336
    2500-4999
    5.2156
    5000-9999
    5.1684
    ≥10000
    5.0976
  • 品类: MOS管
    描述:
    PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
    9729
    5-49
    11.9340
    50-199
    11.4240
    200-499
    11.1384
    500-999
    11.0670
    1000-2499
    10.9956
    2500-4999
    10.9140
    5000-7499
    10.8630
    ≥7500
    10.8120
  • 品类: MOS管
    描述:
    PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
    6861
    5-24
    2.3355
    25-49
    2.1625
    50-99
    2.0414
    100-499
    1.9895
    500-2499
    1.9549
    2500-4999
    1.9117
    5000-9999
    1.8944
    ≥10000
    1.8684
  • 品类: MOS管
    描述:
    Trans MOSFET N-CH 200V 5.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
    4903
    20-49
    0.0000
    50-99
    0.0000
    100-299
    0.0000
    300-499
    0.0000
    500-999
    0.0000
    1000-4999
    0.0000
    5000-9999
    0.0000
    ≥10000
    0.0000
  • 品类: MOS管
    描述:
    P沟道 100V 4.9A
    4167
    10-49
    0.8505
    50-99
    0.8064
    100-299
    0.7749
    300-499
    0.7560
    500-999
    0.7371
    1000-2499
    0.7182
    2500-4999
    0.6899
    ≥5000
    0.6836
  • 品类: MOS管
    描述:
    P沟道 60V 7.8A
    6959
    5-24
    1.4850
    25-49
    1.3750
    50-99
    1.2980
    100-499
    1.2650
    500-2499
    1.2430
    2500-4999
    1.2155
    5000-9999
    1.2045
    ≥10000
    1.1880
  • 品类: MOS管
    描述:
    Trans MOSFET N-CH 200V 2.7A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
    1980
    20-49
    0.0000
    50-99
    0.0000
    100-299
    0.0000
    300-499
    0.0000
    500-999
    0.0000
    1000-4999
    0.0000
    5000-9999
    0.0000
    ≥10000
    0.0000
  • 品类: MOS管
    描述:
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT014L 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.12 ohm, 10 V, 1.5 V
    6307
    5-24
    3.3885
    25-49
    3.1375
    50-99
    2.9618
    100-499
    2.8865
    500-2499
    2.8363
    2500-4999
    2.7736
    5000-9999
    2.7485
    ≥10000
    2.7108
  • 品类: MOS管
    描述:
    MOSFET Energy Inversion DC-AC
    8031
    10-99
    8.8200
    100-499
    8.3790
    500-999
    8.0850
    1000-1999
    8.0703
    2000-4999
    8.0115
    5000-7499
    7.9380
    7500-9999
    7.8792
    ≥10000
    7.8498
  • 品类: MOS管
    描述:
    PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
    2390
    10-99
    8.7360
    100-499
    8.2992
    500-999
    8.0080
    1000-1999
    7.9934
    2000-4999
    7.9352
    5000-7499
    7.8624
    7500-9999
    7.8042
    ≥10000
    7.7750
  • 品类: MOS管
    描述:
    MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
    1020
    20-49
    0.0000
    50-99
    0.0000
    100-299
    0.0000
    300-499
    0.0000
    500-999
    0.0000
    1000-4999
    0.0000
    5000-9999
    0.0000
    ≥10000
    0.0000
  • 品类: MOS管
    描述:
    P沟道增强型场效应晶体管 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    1321
    5-24
    3.3480
    25-49
    3.1000
    50-99
    2.9264
    100-499
    2.8520
    500-2499
    2.8024
    2500-4999
    2.7404
    5000-9999
    2.7156
    ≥10000
    2.6784
  • 品类: MOS管
    描述:
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS356AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 300 mohm, -10 V, -2 V
    8424
    20-49
    0.6345
    50-99
    0.5875
    100-299
    0.5640
    300-499
    0.5452
    500-999
    0.5311
    1000-4999
    0.5217
    5000-9999
    0.5123
    ≥10000
    0.5029
  • 品类: MOS管
    描述:
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS351AN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 250 mohm, 10 V, 2.1 V
    6844
    1-9
    73.7955
    10-99
    70.5870
    100-249
    70.0095
    250-499
    69.5603
    500-999
    68.8544
    1000-2499
    68.5336
    2500-4999
    68.0844
    ≥5000
    67.6994
  • 品类: MOS管
    描述:
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT454P 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.9 A, -30 V, 50 mohm, -10 V, -2.7 V
    3674
    10-99
    8.7360
    100-499
    8.2992
    500-999
    8.0080
    1000-1999
    7.9934
    2000-4999
    7.9352
    5000-7499
    7.8624
    7500-9999
    7.8042
    ≥10000
    7.7750
  • 品类: MOS管
    描述:
    Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 8Pin Power 56 EP T/R
    3790
    5-24
    4.6845
    25-49
    4.3375
    50-99
    4.0946
    100-499
    3.9905
    500-2499
    3.9211
    2500-4999
    3.8344
    5000-9999
    3.7997
    ≥10000
    3.7476
  • 品类: MOS管
    描述:
    Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    8402
    5-49
    21.7620
    50-199
    20.8320
    200-499
    20.3112
    500-999
    20.1810
    1000-2499
    20.0508
    2500-4999
    19.9020
    5000-7499
    19.8090
    ≥7500
    19.7160
  • 品类: MOS管
    描述:
    PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
    9856
    5-24
    5.1705
    25-49
    4.7875
    50-99
    4.5194
    100-499
    4.4045
    500-2499
    4.3279
    2500-4999
    4.2322
    5000-9999
    4.1939
    ≥10000
    4.1364
  • 品类: MOS管
    描述:
    PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
    8559
    5-49
    13.1859
    50-199
    12.6224
    200-499
    12.3068
    500-999
    12.2280
    1000-2499
    12.1491
    2500-4999
    12.0589
    5000-7499
    12.0026
    ≥7500
    11.9462
  • 品类: MOS管
    描述:
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6637 晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -35 V, 9.7 mohm, -10 V, -1.6 V
    5612
    1-9
    65.1590
    10-99
    62.3260
    100-249
    61.8161
    250-499
    61.4194
    500-999
    60.7962
    1000-2499
    60.5129
    2500-4999
    60.1163
    ≥5000
    59.7763
  • 品类: MOS管
    描述:
    PowerTrench® 四 SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
    2827
    10-99
    8.7360
    100-499
    8.2992
    500-999
    8.0080
    1000-1999
    7.9934
    2000-4999
    7.9352
    5000-7499
    7.8624
    7500-9999
    7.8042
    ≥10000
    7.7750
  • 品类: MOS管
    描述:
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05SM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
    6637
    5-24
    3.5370
    25-49
    3.2750
    50-99
    3.0916
    100-499
    3.0130
    500-2499
    2.9606
    2500-4999
    2.8951
    5000-9999
    2.8689
    ≥10000
    2.8296

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